Amarga langkane moissanite alami, umume silikon karbida iku sintetis. Iki digunakake minangka abrasif, lan bubar iki minangka semikonduktor lan simulan berlian kualitas permata. Proses manufaktur sing paling gampang yaiku nggabungake pasir silika lan karbon ing tungku resistensi listrik grafit Acheson ing suhu dhuwur, antarane 1.600 °C (2.910 °F) lan 2.500 °C (4.530 °F). Partikel SiO2 sing alus ing bahan tanduran (kayata sekam pari) bisa diowahi dadi SiC kanthi cara manasi karbon sing berlebihan saka bahan organik. Asap silika, sing minangka produk sampingan saka produksi logam silikon lan paduan ferosilikon, uga bisa diowahi dadi SiC kanthi cara manasi nganggo grafit ing suhu 1.500 °C (2.730 °F).
F12-F1200, P12-P2500
0-1mm, 1-3mm, 6/10, 10/18, 200mesh, 325mesh
Spesifikasi khusus liyane bisa diwenehake miturut panyuwunan.
| Grit | Sic | FC | Fe2O3 |
| F12-F90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| F100-F150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| F180-F220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| F230-F400 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F500-F800 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F1000-F1200 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
| P12-P90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| P100-P150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| P180-P220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| P230-P500 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P600-P1500 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P2000-P2500 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
| Bubur jagung | Kapadhetan Massal (g/cm3) | Kapadhetan Dhuwur (g/cm3) | Bubur jagung | Kapadhetan Massal (g/cm3) | Kapadhetan Dhuwur (g/cm3) |
| F16 ~ F24 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F100 | 1.36~1.45 | ≥1.45 |
| F30 ~ F40 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F120 | 1.34~1.43 | ≥1.43 |
| F46 ~ F54 | 1.43~1.51 | ≥1.51 | F150 | 1.32~1.41 | ≥1.41 |
| F60 ~ F70 | 1.40~1.48 | ≥1.48 | F180 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F80 | 1.38~1.46 | ≥1.46 | F220 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F90 | 1.38~1.45 | ≥1.45 |
Menawi panjenengan gadhah pitakenan, sumangga hubungi kula.